NY8AE51D是以MTP作為程式記憶體, 並以EEPROM作為資料記憶體的 8 位元微控制器，特別適合斷電後還需保持 資料內容的IO產品的應用，例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。而MTP作為程式記憶體能更方便且有 效率的開發產品。
NY8AE51D核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制，共有 53 條指令。除了少 數指令需要 2 個時序，大多數指令都是 1 個時序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非 常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。 在I/O的資源方面。
NY8AE51D有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一 個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方 面。
NY8AE51D內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。 NY8AE51D有兩組計時器，可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外NY8AE51D提供 3 組 10 位元解析度的PWM輸出及者一組蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。
NY8AE51D採用雙時鐘機制，高速振盪或者低速振盪都由內部RC振盪輸入。在雙時鐘機制下。
NY8AE51D可選擇多 種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省 電力消耗延長電池壽命。 在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發中斷喚醒NY8AE51D進 入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發事件。

 寬廣的工作電壓：(指令週期為 4 個CPU clock，亦即 4T模式) 

 2.0V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz。 

 2.2V ~ 5.5V @系統頻率＞8MHz。 

 寬廣的工作温度：-40°C ~ 85°C。 

 1Kx14 bits MTP。 

 64 bytes SRAM。 

 64 bytes EEPROM。

 6 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PB[5:0]。 

 PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。

 PB[5:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)。 

 8 層程式堆棧(Stack)。 

 存取資料有直接或間接定址模式。

 一組 8 位元上數計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路。

 一組 10 位元下數計時器(Timer1)可選重複載入或連續下數計時。

 三個 10 位元的脈衝寬度調變輸出(PWM1/2/3)。

 一個蜂鳴器輸出(BZ1)。 
 38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時載波之極性也可以根據數據作選擇。 
 內建上電復位電路(POR)。 
 內建低壓復位功能(LVR)。 
 內建看門狗計時(WDT)，可由程式韌體控制開關。 
 雙時鐘機制，系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。 
 高速振盪: I_HRC (1~20MHz內部高速RC振盪)  
 低速振盪: I_LRC (內部 32KHz低速RC振盪)  
 四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby  mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。 
 七種硬體中斷： 
 Timer0 溢位中斷。
 Timer1 借位中斷。 
 WDT 中斷。 
 PB 輸入狀態改變中斷。 
 外部中斷輸入。 
 低電壓偵測中斷。 
 EEPROM寫入完成中斷。 
 NY8AE51D在待機模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷： 
 Timer0 溢位中斷。 
 Timer1 借位中斷。 
 WDT 中斷。 
 PB 輸入狀態改變中斷。 
 外部中斷輸入。 
 低電壓偵測中斷。 
 NY8AE51D在睡眠模式(Halt mode)下的三種喚醒中斷： 
 WDT 中斷。 
 PB 輸入狀態改變中斷。 
 外部中斷輸入。